韩国工程师狱中写信喊冤 否认为中国窃取三星数据

一名因工业间谍指控而入狱的韩国芯片高管否认了他试图利用三星电子开发的敏感信息在中国建立一家山寨芯片工厂的指控。

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韩国芯片高管音译为崔镇石在给路透社的一封手写信中详细阐述了他的辩护计划，这是他自 5 月 25 日被拘留以来首次向媒体发表评论，并表示针对他的有关西安工厂的指控没有得到证实。

韩国检察官本月早些时候起诉三星前高管崔镇石非法获取秘密信息，在距离中国西安三星工厂仅 1.5 公里（1 英里）的地方建造一家半导体工厂。

崔镇石被关押在水原市的一个拘留中心，水原市是首尔以南的城市，三星的总部就在水原市。他此前通过律师否认了所有指控。崔镇石在信中表示，该工厂计划为台湾富士康建设，用于 DRAM 内存芯片的早期测试生产，而三星位于西安的工厂则旨在生产 NAND 闪存芯片。

据崔镇石表示，DRAM工艺技术与制造NAND闪存芯片有30%以上的不同，因为它更复杂，而且制造这两种芯片所使用的一些设备也不同。崔镇石在信中表示：“他们使用不同的设备，而（三星）NAND 闪存芯片设备的布局对我们来说确实没有用处。”

路透社采访的几位未参与此案的半导体行业专家证实，NAND 和 DRAM 生产所用的工艺和设备存在差异，但没有具体说明。

根据路透社早些时候报道的一份未公开的 18 页起诉书，检察官指控 Choi 计划在西安为富士康建设一家 DRAM 工厂，并非法使用其公司员工从两名三星承包商的人员那里获得的秘密数据。检察官称，崔镇石从三星及其关联公司挖走了“大量”员工，并向几名员工施压，要求他们获取涉及特殊半导体“洁净室”管理的秘密信息，以及工厂蓝图和布局，以缩短计划中的中国工厂的建设时间。

检察官称，这些技术是受法律保护的“国家核心技术”，其盗窃行为给三星造成了超过 2 亿美元的损失。

据崔镇石的律师金表示，他计划寻求保释，理由是崔在今年早些时候接受心脏手术后健康状况不佳。崔镇石的顾问表示，被告对工业间谍指控感到“走投无路”和“心烦意乱”。路透社采访的几位芯片行业专家则认为，这些指控是韩国减缓中国芯片制造进度的一部分。